Stability Test

Tentunya kami akan menjalankan stability test menggunakan software memtest, dan karena keterbatasan waktu kami hanya menjalankan memtest hingga 250% coverage yang kurang lebih membutuhkan waktu +/-90 menit. 

Stability – Timings Settings DDR4-3600 C14-14-14-32:

 

Stability – Timings Settings DDR4-4400 C16-18-18-36:

 

Pada kedua stability-test diatas kami benar-benar mencoba memaksa untuk menjalakan memori TridentZ Neo yang kami gunakan pada kemampuan maksimalnya baik itu secara timing ketat dan frekuensi maksimal dengan timing terketat yang bisa dijalankan. Kedua setting diatas dapat dikatakan memenuhi kriteria stability test, yang kami terapkan dan dapat dikatakan kedua setting tersebut dapat digunakan untuk penggunaan harian
Kedua setting diatas ditujukan untuk 2 skenario penggunaan:

• Setting DDR4-3600 CL14-14-14-32 digunakan untuk coupled mode / UCLK 1:1 untuk mendapatkan skenario memory latency terbaik pada penggunaan harian.
• Setting DDR4-4400 CL16-18-18-36 digunakan untuk decoupled mode / UCLK 1:2 untuk mendapatkan skenario memory bandwidth terbaik untuk penggunaan harian dan juga menutupi latency loose dari efek penggunaan decouple mode.

Seperti yang diketahui pada umumnya kedua setting timing diatas merupakan ciri khas dari IC Samsung B-Die dimana skenario timing memori ketat dapat dikombinasikan dengan frekuensi tinggi.

*Setting yang kami gunakan hanya merupakan referensi setting yang dapat anda gunakan, pencapaian overclocking yang anda dapatkan mungkin bisa berbeda, mungkin lebih baik atau lebih buruk.

Test Result

Hadir sebagai memori dengan rating XMP DDR4-3600, TridentZ Neo dengan XMP DDR4-3600 CL16-16-16-36 tentunya memberikan performance out-of-the-box yang sudah sangat tinggi untuk penggunaan harian.

Hadir dengan IC Samsung B-die, maka overclockability dari memori kit ini sangatlah diharapkan memberikan impact kepada performa dari sistem.  TridentZ Neo DDR4-3600 CL16 yang kami gunakan dapat berjalan stabil pada DDR4-3600 CL14-14-14-32 dan DDR4-4400 CL16-18-18-36!

Kedua setting tersebut dapat memberikan performa ekstra, namun karena performa default memori ini sudah cukup tinggi, kami hanya melihat peningkatan rata-rata sekitar 6% lebih baik dari XMP performance.

Berdasarkan hasil pengujian yang kami dapatkan skenario DDR4-3600 CL14-14-14-32 dengan coupled mode / UCLK 1:1 dapat memberikan performa yang sama dengan DDR4-4400 CL16-18-18-36 dengan decoupled mode / UCLK 1:2.

Ini berarti skenario DDR4-3600 CL14-14-14-32 dapat menutupi kekurangan bandwidth dengan latency yang sangat rendah, sedangkan skenario DDR4-4400 CL16-18-18-36 dapat menutupi kekurangan latency dengan bandwidth yang sangat besar.

Hal ini menunjukan bahwa G.Skill TridentZ Neo DDR4-3600 CL16 dengan IC Samsung B-Die dapat di tuning secara fleksibel pada platform Ryzen 3000 series ‘Matisse’, baik itu untuk latency ataupun bandwidth tanpa harus memikirkan berjalan pada coupled mode / decoupled mode, karena secara overall performance kedua skenario tersebut dapat memberikan hasil yang serupa.

Kesan dan Kesimpulan

G.Skill kembali lagi berusaha untuk mengerakkan pasar memory high-end untuk platform Ryzen dengan mengeluarkan seri TridentZ Neo, yang secara khusus menggunakan chip Samsung B-Die.

Dengan IC legendaris tersebut , tentunya tidak salah untuk mengharapkan tingkat overclockability yang besar.

Hadir dengan Rating XMP DDR-3600 CL16-16-16-36, memori ini menawarkan performance out of the box yang sangat baik terutama pada platform Ryzen 3000 Series ‘Matisse’.

Rating DDR4-3600 CL16 dengan FCLK 1800 menurut kami sendiri merupakan sweet spot untuk platform ini, namun jika itu masih kurang TridentZ Neo DDR4-3600CL16 yang kami gunakan masih bisa di-tuning dan dapat berjalan stabil pada 2 setting ini:

Coupled Mode / UCLK 1:1 : DDR4-3600 CL14-14-14-32 @1.48v, untuk memberikan skenario memory latency terbaik.

Decoupled Mode / UCLK 1:2 : DDR4-4400 CL16-18-18-36 @1.48v, untuk mendapatkan skenario memory bandwidth terbaik.

 

Pada saat ini sudah banyak memori DDR4 dengan kemampuan overclocking yang dapat mencapai frekuensi DDR4-4000++,  namun hal yang dapat membedakan G.Skill TridentZ Neo dengan IC Samsung B-die ini adalah kemampuan memori ini untuk berjalan pada timing ketat yang ditunjukan dengan skenario DDR4-3600 CL14-14-14-32, Setting seperti ini saat ini hanya kami temui pada IC Samsung B-die, dan setting seperti ini juga memberikan memory latency yang luar biasa rendah.

Hal yang dapat kami highlight berdasarkan pengujian overclocking pada G.Skill TridentZ Neo DDR4-3600 CL16 ini adalah kemampuan tuning yang fleksibel, pengguna dapat memilih untuk melakukan tuning yang berfokus untuk memory bandwidth atau memory latency, tanpa harus kompromi dengan salah satunya.

Perlu dicatat, kami bisa mendapat hasil seperti ini dengan melakukan banyak tuning manual juga pada bagian RAM sub-timing, sehingga dapat dikatakan bahwa untuk mengeluarkan karakter performa terbaik dari sebuah memori dengan IC Samsung B-die, Anda perlu tahu mana bagian yang mesti dioptimalkan (silahkan gunakan value yang kami berikan pada screenshot bagian Setting di atas untuk mencoba timing tersebut, jika Anda memiliki RAM dengan IC Samsung B-die).

Demikianlah hasil pengujian kami untuk memori G.Skill TridentZ Neo DDR4-3600 CL16, sampai jumpa pada pengujian kami selanjutnya :)