Binning 4 Kit Team DARK PRO DDR4-3333 2x8GB (Samsung B-Die IC) dengan ASUS Maximus VIII Impact
Testbed

Berikut ini spesifikasi lengkap dari sistem yang kami gunakan untuk menguji:
- Prosesor: Intel Core i5-6600K
- Motherboard: ASUS Maximus VIII Impact
- RAM: Team DARK PRO DDR4-3333 2x8GB (Samsung B-Die IC)
- VGA: ASUS GT710
- SSD: Team Dark L3 120GB
- PSU: Cooler Master 1200W
- CPU Cooler: ID-Cooling WC Icekimo “bboyjezz” Edition
- OS: Windows 10 Pro 64bit
Prosesor i7-6600K akan dijalankan dengan clock 3.9Ghz(default), dan yang di-overclock pada artikel ini hanyalah bagian RAM-nya saja.
Pengujian: Let’s Start!
Semakin rendah volase yang ada pada memori ini, biasanya menandakan bahwa memori ini memiliki kemampuan overclockability yang lebih baik. Disini kami menguji voltase terendah yang bisa didapatkan ketika memori ini berjalan di kecepatan 4GHz dengan menggunakan ASUS Overclocking Presets.
ASUS Overclocking Presets 4000MHz DRAM OC Profile ini mengubah beberapa variable krusial yang ada di dalam BIOS, antara lain:
• Memory frequency menjadi 4000MHz
• DRAM Voltage menjadi 1.505V
• CPU VCCIO Voltage menjadi 1.3V
• CPU System Agent Voltage menjadi 1.3V
Dengan menggunakan metode uji diatas, maka berikut adalah beberapa hasil binning terhadap 4 kit Team DARK PRO DDR4-3333 2x8GB (Samsung B-Die IC) yang kami dapatkan: (*klik untuk memperbesar gambar*)
KIT #1: ASUS Overclocking Presets 4000MHz @1.39V

- Kit ini berhasil untuk boot, masuk OS, dan melakukan benchmark Geekbench3 menggunakan ASUS Overclocking Presets 4000MHz dengan lancar
- Setelah melakukan pengurangan voltase per 0.025V / 25mV baik melalui BIOS dan OS, kit ini menolak untuk masuk OS ketika berjalan di 1.375V
- Maka kami mencari voltase terendah diatara 1.375V – 1.4V (per 0.005V / 5mV) untuk mendapatkan angka voltase terendah yang lebih presisi yang bisa menjalankan benchmark Geekbench3
- Didapatkan hasil: memori ini bisa berjalan dan menyelesaikan benchmark Geekbench3 pada kecepatan 4000MHz(menggunakan ASUS Overclocking Presets 4000MHz DRAM OC Profile) di voltase terendah 1.39V
KIT #2: ASUS Overclocking Presets 4000MHz @1.4V

- Kit ini berhasil untuk boot, masuk OS, dan melakukan benchmark Geekbench3 menggunakan ASUS Overclocking Presets 4000MHz dengan lancar
- Setelah melakukan pengurangan voltase per 0.025V / 25mV baik melalui BIOS dan OS, kit ini menolak untuk masuk OS ketika berjalan di 1.375V
- Maka kami mencari voltase terendah diatara 1.375V – 1.4V (per 0.005V / 5mV) untuk mendapatkan angka voltase terendah yang lebih presisi yang bisa menjalankan benchmark Geekbench3, yang ternyata voltase yang lebih rendah dari 1.4V tidak dapat menjalankan benchmark Geekbench3 pada kit ini
- Didapatkan hasil: memori ini bisa berjalan dan menyelesaikan benchmark Geekbench3 pada kecepatan 4000MHz(menggunakan ASUS Overclocking Presets 4000MHz DRAM OC Profile) di voltase terendah 1.4V
- Intro, Ruang Lingkup Pengujian
- Tesbed, Pengujian kit #1, kit #2
- Pengujian kit #3, kit #4, Kesimpulan