Binning 4 Kit Team DARK PRO DDR4-3333 2x8GB (Samsung B-Die IC) dengan ASUS Maximus VIII Impact
KIT #3: ASUS Overclocking Presets 4000MHz @1.475V
- Kit ini berhasil untuk boot, masuk OS, dan melakukan benchmark Geekbench3 menggunakan ASUS Overclocking Presets 4000MHz dengan lancar
- Setelah melakukan pengurangan voltase per 0.025V / 25mV baik melalui BIOS dan OS, kit ini menolak untuk masuk OS ketika berjalan di 1.45V
- Maka kami mencari voltase terendah diatara 1.45V – 1.475V (per 0.005V / 5mV) untuk mendapatkan angka voltase terendah yang lebih presisi yang bisa menjalankan benchmark Geekbench3, yang ternyata voltase yang lebih rendah dari 1.475V tidak dapat menjalankan benchmark Geekbench3 pada kit ini
- Didapatkan hasil: memori ini bisa berjalan dan menyelesaikan benchmark Geekbench3 pada kecepatan 4000MHz(menggunakan ASUS Overclocking Presets 4000MHz DRAM OC Profile) di voltase terendah 1.475V
KIT #4: ASUS Overclocking Presets 4000MHz @1.52V
- Kit ini tidak berhasil untuk boot, masuk OS, dan melakukan benchmark Geekbench3 menggunakan ASUS Overclocking Presets 4000MHz dengan lancar
- Kami mencoba untuk melakukan penambahan voltase agar kit ini mau boot dan masuk OS, mulai dari 1.55V
- Pada 1.55V, kit ini berhasil masuk OS dan menyelesaikan benchmark Geekbench3
- Setelah melakukan pengurangan voltase per 0.025V / 25mV baik melalui BIOS dan OS, kit ini menolak untuk masuk OS ketika berjalan di 1.5V
- Maka kami mencari voltase terendah diatara 1.5V – 1.525V (per 0.005V / 5mV) untuk mendapatkan angka voltase terendah yang lebih presisi yang bisa menjalankan benchmark Geekbench3
- Didapatkan hasil: memori ini bisa berjalan dan menyelesaikan benchmark Geekbench3 pada kecepatan 4000MHz(menggunakan ASUS Overclocking Presets 4000MHz DRAM OC Profile) di voltase terendah 1.52V
KESIMPULAN
Dari hasil pengujian diatas, terlihat bahwa memori ini memiliki potensi overclocking yang berbeda-beda. Mulai dari kit #1 yang dapat berjalan di kecepatan 4000MHz hanya dengan voltase 1.39V sampai dengan kit #4 yang bahkan tidak dapat menjalankan profile yang diberikan oleh ASUS. Perlu diketahui bahwa kit #1 yang dapat berjalan di kecepatan 4000MHz hanya dengan 1.39V merupakan salah satu kit terkuat yang pernah saya lihat bahkan di lab JagatOC sekalipun karena Team DARK PRO DDR4-3333 2x8GB (Samsung B-Die IC) yang dirating di kecepatan 3333MHz dan voltase 1.35V dapat berjalan di kecepatan yang luar biasa kencang yaitu 4000MHz (peningkatan clock sebesar 20%!) hanya dengan voltase 1.39V saja(hanya 0.04V lebih tinggi dari rating XMP nya). Tentu saja kami juga tidak menyangka adanya 1 kit yang tidak dapat berjalan di profile yang diberikan ASUS pada voltase standardnya. Tapi tentu saja kemungkinan terburuk dalam proses binning itu sendiri akan selalu ada.
Akhir kata, kami akan mencoba untuk melakukan pengujian dan mengumpulkan lebih banyak data mengenai motode ‘binning’ itu sendiri. Mungkin kedepannya, kami akan menemukan metode binning yang lebih efektif dan akurat. Pada artikel berikutnya, kami akan melakukan hands-on overclocking terhadap kit Team DARK PRO DDR4-3333 2x8GB (Samsung B-Die IC) ini, untuk menguji seberapa jauh potensi dan kemampuan overclockability dari memori ini berdasarkan metode binning yang telah kami jalani. Sampai jumpa di artikel selanjutnya!
Note: untuk teman-teman yang memiliki memori serupa, mungkin bisa dishare berapa voltase terendah yang bisa didapatkan di kit kalian di kolom komentar dibawah:)
- Intro, Ruang Lingkup Pengujian
- Tesbed, Pengujian kit #1, kit #2
- Pengujian kit #3, kit #4, Kesimpulan