in: General - Guide | July 19, 2016 | by: Leontius Jesse "bboyjezz" Putra

Binning 4 Kit Team DARK PRO DDR4-3333 2x8GB (Samsung B-Die IC) dengan ASUS Maximus VIII Impact

Dalam dunia overclocking, tentu para enthusiast PC dan para overclocker tidak asing lagi dengan kata ‘Binning’. ‘Binning’  sendiri bisa berarti salah satu metode atau cara untuk melakukan pemilihan dan pengkategorian hardware berdasarkan parameter tertentu. Proses ini banyak dilakukan oleh para produsen, terutama vendor memori untuk melihat bagaimana karakteristik dari memori tersebut dan kemampuannya terutama dari segi clockspeed dan voltage.

Dalam kasus ini, motode ‘binning’ dilakukan oleh para overclocker untuk mendapatkan hardware terbaik. Para overclocker menginginkan hardware yang memiliki clockspeed yang tinggi dengan voltase yang rendah sehingga mereka memiliki kesempatan yang lebih baik dalam mengejar kemampuan maksimal dari hardware tersebut. Sebagai contoh, 4 kit memori yang saya(Leontius Jesse Putra a.k.a bboyjezz) uji ini, walaupun memiliki spesifikasi yang sama, tentunya memiliki kemampuan dan overclockability yang berbeda. Oleh karena itu, pengujian dan overclocking akan sebuah hardware sangatlah diperlukan.

Pada artikel ini, saya akan menjelaskan sedikit salah satu metode yang digunakan tim JagatOC untuk memilih memori terbaik dari 4 buah kit Team DARK PRO DDR4-3333 2x8GB (Samsung B-Die IC) menggunakan motherboard tuning memori terbaik yaitu ASUS Maximus VIII Impact. 

DSCF1094hss

4 buah kit Team DARK PRO DDR4-3333 2x8GB (Samsung B-Die IC)

Seperti yang telah teman-teman ketahui, bahwa memori ini memiliki IC-Samsung B-die yang memiliki performa dan kemampan overclockability yang sangat tinggi. Artikel preview dari memori tersebut bisa dicek disini: http://oc.jagatreview.com/2016/07/preview-ddr4-team-dark-pro-ddr4-3333-2x8gb-samsung-b-die-ic/

 

 

IF

Dan juga, kami akan menggunakan salah satu motherboard terbaik yang biasa digunakan untuk melakukan tuning memori. Motherboard ASUS Maximus VIII Impact ini memang sudah terbukti oleh banyak overclocker akan kemampuan overclocking memorinya yang luar biasa. Simak artikel pengujian bench log pada motherboard ini yang dilakukan oleh JagatOC disini:  http://oc.jagatreview.com/2016/03/bench-log-asus-maximus-viii-impact-motherboard-spesialis-ram-tuning/

 

Ruang Lingkup Pengujian

Pada pengujian kali ini, kami akan menguji kita mana yang terbaik dan memiliki kemampuan overclockability yang lebih tinggi dari 4 kita yang ada. Biasanya, kami akan menguji kita mana yang berjalan pada ‘divider’ memori tertentu dengan voltase terendah. Akan tetapi, kali ini saya akan melakukan pengujian tersebut dengan memanfaatkan beberapa fitur yang ditawarkan oleh motherboard ASUS ini.

Berikut adalah beberapa langkah yang akan dilakukan di pengujian kali ini. Jika memenuhi syarat 1 langkah, maka akan lanjut ke langkah selanjutnya. Memori yang berhasil melakukan langkah yang terakhir adalah memori yang terbaik.

  1. Load memori profile 4000 di motherboard ASUS
    Perlu diketahui bahwa tidak semua memori mampu berjalan di kecepatan 4000 yang terhitung cukup tinggi di platform DDR4 ini.
    – Masuk menu Overclocking Presets di BIOS
    160716233430hss
    – Cari opsi Load 4000MHz DRAM OC Profile
    160716233449hss
    – Load opsi tersebut lalu F10 + enter untuk menjalankan profile tersebut. Sistem akan melakukan restart.
    160716233455hss
    – Pastikan memori sudah berjalan di kecepatan 4000MHz, dan ada 3 variable voltase yang diubah oleh ASUS di profile tersebut
    160716233601hss
  2. Pastikan ketika memori tersebut berjalan di kecepatan DDR4-4000MHz, memori tersebut cukup stabil untuk menjalankan benchmark Geekbench3.
    Screenshot (22)h
  3. Ulang terus poin nomor 2 dengan voltase yang paling rendah.
    Perlu diketahui bahwa ketika ketika memori tersebut berjalan ke kecepatan DDR4-4000 melalui profile yang diberikan oleh ASUS, ASUS telah menset voltase memori di 1.505V (BIOS dan OS). Oleh karena itu, kami akan melakukan pengujian di poin nomor 2 setiap mengurangi 0.025V(25mV) dari voltase diatas. Jadi, kami akan mengulang pengujian poin nomor 2 dengan voltase 1.505V(asumsi 1.5V), 1.475V, 1.45V, 1.4725V, dst hingga memori tersebut tidak dapat berjalan stabil lagi pada benchmark Geekbench3.
Daftar Isi
Pages: 1 2 3
Tags:

COMMENTS

comments!

RANDOM ARTICLES